FETのシミュレーション勉強その3
今回は出力特性から解説する
出力特性(ID-VDS特性)って??
静特性の一種で、ゲートソース間電圧VGSを印加している状態で
ドレイン-ソース間電圧VDSとドレイン電流IDの関係を表した特性の事。
FETの出力特性には、3つの領域がある
線形領域、飽和領域、遮断領域
あと、線形領域と飽和領域の境界である電圧値をピンチオフ電圧Vpと呼ぶ。
線形領域とは、なんぞや?
ドレイン-ソース間電圧VDSが増加すると、ドレイン電流IDが増加する領域を指す
飽和領域とは、なんぞや?
ドレイン-ソース間電圧VDSによらず、ゲートソース間電圧VGSが変わると
ドレイン電流IDが変わる領域。
遮断領域とは、なんぞや?
ゲートソース間電圧VGSがゲートしきい値電圧VTHより低い領域
FETをスイッチとして使う時は、線形領域(スイッチがONの状態)と
遮断領域(スイッチがOFFの状態)を利用し、
FETをアンプとして用いる時は、飽和領域を利用する
次回は前回紹介した入力特性と今回の出力特性のシミュレーション回路
とそのシミュレーション結果を比較してこんな挙動になるんだ
と納得したい(大体のシミュレーションモデルは”理想モデル”なので
あくまでもイメージを掴んだり、部品選定の材料にするもの)