ryotankの備考録日記

趣味の電子工作についての備考録などなど

FETのシミュレーション勉強その3

今回は出力特性から解説する

出力特性(ID-VDS特性)って??

静特性の一種で、ゲートソース間電圧VGSを印加している状態で
ドレイン-ソース間電圧VDSとドレイン電流IDの関係を表した特性の事。


FETの出力特性には、3つの領域がある

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出力特性例

線形領域、飽和領域、遮断領域
あと、線形領域と飽和領域の境界である電圧値をピンチオフ電圧Vpと呼ぶ。


線形領域とは、なんぞや?

ドレイン-ソース間電圧VDSが増加すると、ドレイン電流IDが増加する領域を指す



飽和領域とは、なんぞや?

ドレイン-ソース間電圧VDSによらず、ゲートソース間電圧VGSが変わると
ドレイン電流IDが変わる領域。



遮断領域とは、なんぞや?
ゲートソース間電圧VGSがゲートしきい値電圧VTHより低い領域

FETをスイッチとして使う時は、線形領域(スイッチがONの状態)と
遮断領域(スイッチがOFFの状態)を利用し、
FETをアンプとして用いる時は、飽和領域を利用する

次回は前回紹介した入力特性と今回の出力特性のシミュレーション回路
とそのシミュレーション結果を比較してこんな挙動になるんだ
と納得したい(大体のシミュレーションモデルは”理想モデル”なので
あくまでもイメージを掴んだり、部品選定の材料にするもの)