FETのシミュレーション勉強その2
モデル作成からと書いたが
まずFETの特性について理解していないと
シミュレーションモデルなんか書けない
まずは、FETの静特性について
静特性とは、入力特性(VGS-ID特性)、出力特性(VDS-ID特性)
VGS:ゲート-ソース間電圧
VDS:ドレイン-ソース間電圧
ID:ドレイン電流
入力特性は、VGSを変化させた時のドレイン電流IDの変化を示す特性
出力特性は、VDSを変化させた時のドレイン電流IDの変化を示す特性
FETのデータシートの特性は、ソース接地時の静特性
なぜなのか？それは、実際の電子回路はソース接地して使用する場合が多いから
なので今回は、入力特性(VGS-ID特性)について解説する
入力特性は、ゲートソース間電圧VGSが増加すると、チャネルに集まる
電子の密度が高くなるので、チャネルの電気抵抗が減少する
つまりFETのオン抵抗Ronが低くなる事
伝達特性は、英名だとTransfer characteristicと書く
FETのゲートしきい値電圧とは、MOSFETをオンさせるために、
必要なゲートソース間電圧VGSのことです。VGS(TH)やVTHで表されます
